近期，英飞凌infineon发布1200V-Plus系列IGBT单管产品，在工业应用领域有着深远的意义。英飞凌infineon的 Plus系列在原来经典的TO-247封装内，把安装孔去掉，封装了更大的芯片，不但电流能力变大，基板的散热能力也得到很大的提高，在去年英飞凌infineon发布的600V-Plus系列的最大电流已经能做到120A，而英飞凌infineon刚刚发布的1200V-Plus系列的最大电流达到了75A。在越来越追求功率密度的时代，这无疑是对UPS设计者是一个福音，将帮助UPS设计工程师大幅的提高UPS的功率密度。
SiC-MOSFET的应用已经成为趋势，近期英飞凌infineon也推出了1200V-SiC-MOSFET，电流能力从45mΩ的TO-247封装到11mΩ的Easy封装，能够大大增加UPS设计的系统功率密度，提升系统效率，对于UPS产业是一个革命性转变。
153 3525 5399